PROM和EPROM之间的区别
内容
我们大多数人通常都知道ROM存储器(只读存储器)是什么。之所以称为“只读”,是因为它拥有无法更改的持久数据模式。 PROM,EPROM,EEPROM和闪存是ROM的类型。在本文中,我们将特别了解PROM和EPROM之间的区别。因此,PROM和EPROM之间的主要区别在于PROM只能被编程一次,这意味着它只能被写入一次,而EPROM是可擦除的。因此可以对其进行重新编程或重写。
与RAM不同,在ROM中,不需要将位值或数据保留在内存中,就不需要电源。因此,它本质上是非易失性的。使用ROM的好处是数据和程序可以持久地驻留在主存储器中,而无需从辅助存储设备加载。
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- 比较表
- 定义
- 关键差异
- 结论
比较表
基本的 | 舞会 | 只读存储器 |
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扩展到 | 可编程只读存储器 | 可擦可编程只读存储器 |
基本的 | 该芯片只能一次性编程。 | 该芯片是可重新编程的。 |
成本 | 便宜的 | 与PROM相比,价格昂贵。 |
施工 | PROM装在塑料盖中。 | 透明的石英窗覆盖EPROM。 |
储存耐力 | 高 | 比较低。 |
PROM的定义
PROM(可编程ROM) 目的是满足一组可以包含特定存储器内容的ROM的需求。 PROM存储器仅写入一次,并在原始芯片制造时或之后由用户进行电编程。必要的内容文件由用户提供,并插入到称为ROM编程器的计算机中。每个可编程连接处都有保险丝,不需要连接时会熔断。
在PROM的结构中,使用了双极晶体管,该晶体管消耗高功率但工作迅速。它具有很高的存储稳定性,在将PROM重新连接到编程器并且烧断更多的保险丝之前,不会更改位。 PROM在大规模生产时具有优势,并提供了灵活性和便利性。
EPROM的定义
只读存储器 扩展到可擦可编程只读存储器,这种类型的ROM以光学方式(电气方式)进行读写。要写入EPROM,其存储单元必须保持相同的初始状态。因此,在执行写入操作之前,为了对存储单元进行擦除,将封装的芯片显示为具有紫外线辐射。
重复执行擦除过程,一次擦除可能会消耗多达20分钟。与PROM相比,EPROM降低了存储的持久性,因为EPROM可以接受辐射和电噪声。 EPROM可能变得不可靠之后,可以对其重新编程大约一千次。 EPROM包含一个超越紫外线的石英窗。
在EPROM中,MOS晶体管用作可编程组件。该晶体管由浮栅(一小块多晶硅材料)组成,并被绝缘体包围。沟道在源极和漏极之间产生负电荷并存储逻辑1。栅极上的高正电压驱动负电荷移出沟道并陷于浮栅中并存储逻辑0。当浮栅表面时处于紫外线辐射下,会使负电荷从浮栅恢复到沟道,从而恢复逻辑1。这种编程现象称为 热电子注入.
- PROM芯片仅编程一次。另一方面,EPROM芯片是可重新编程的。
- 在成本方面,EPROM比PROM昂贵。
- EPROM封装在透明的石英窗口中,以便紫外线可以通过它传输。与此相反,PROM完全封装在塑料盖中。
- PROM的存储永久性不受辐射和电噪声的影响,但是在EPROM中,辐射和电噪声会影响存储的稳定性。但是,EPROM可以存储10年的数据。
结论
PROM比EPROM便宜,但是PROM只能编程一次,而EPROM可以编程多次,但是必须从系统中取出芯片才能擦除数据。